Samsung lansează cea mai mare capacitate DRAM mobilă pentru smartphone-urile viitoare

0
203
Samsung 12GB DRAM
Samsung 12GB DRAM

Samsung Electronics a anunțat astăzi că a început producția de carduri DRAM mobile mcu cea mai mare capacitate – primul pachet cu 4 biți (LPDDR4X) de 12 gigabyte (GB) cu un consum redus optimizat pentru smartphone-uri premium.

Cu o capacitate mai mare decât majoritatea notebook-urilor ultra-subțiri, noul DRAM mobil va permite utilizatorilor de smartphone-uri să profite din plin de toate funcțiile smartphone-urilor de generație următoare.

Datorită tehnologiei DRAM mobile de 12 GB, producătorii de smartphone-uri pot maximiza potențialul dispozitivelor cu mai mult de cinci camere și dimensiuni tot mai mari ale afișajului, precum și inteligența artificială și capacitățile de 5G. Pentru utilizatorii de smartphone-uri, DRAM-ul de 12GB permite multitasking mult mai fluid și căutări mai rapide, pe măsură ce navighează printr-o multitudine de aplicații pe ecrane ultra-mari de înaltă rezoluție. De asemenea, grosimea de 1,1 milimetri permite proiectarea unor smartphone-uri chiar mai subțiri.

Samsung 12GB DRAM
Samsung 12GB DRAM

Capacitatea de 12 GB a fost realizată prin combinarea a șase chips-uri LPDDR4X de 16 gigabiți (Gb) bazate pe procesorul de generație a doua generație de 10nm (1y-nm) într-un singur pachet, oferind mai mult spațiu pentru bateria smartphone-ului.

Evoluția Samsung Mobile DRAM

Date Capacity Mobile DRAM
Feb. 2019 12GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
July 2018 8GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
April 2018 8GB (development) 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Sept. 2016 8GB 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Aug. 2015 6GB 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Dec. 2014 4GB 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Sept. 2014 3GB 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Nov. 2013 3GB 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
July 2013 3GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
April 2013 2GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Aug. 2012 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s